Эти транзисторы с полевым эффектом с усилением в режиме N-Channel производятся с использованием запатентованной фирмой Fairchild технологии плоских полос DMOS. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульса высокой энергии в режиме лавины и коммутации. Эти устройства хорошо подходят для высокоэффективных источников питания с коммутируемым режимом, коррекции активного коэффициента мощности, электронных ламповых балластов на основе полумостовой топологии.
Технические параметры
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 730
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 156
Крутизна характеристики, S 8
Корпус to220f
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Отзывы
Отзывов пока нет.